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　　1月17日，工业和信息化部办公厅发布关于组织开展2025年未来产业创新任务揭榜挂帅工作的通知。内容涵盖量子科技、原子级制造、清洁氢三大部分。其中原子级制造揭榜挂帅任务榜单中部分内容涉及原子级超光滑金刚石表面制造。

　　揭榜任务：面向半导体衬底原子尺度抛得光、纳米尺度抛得平、微米尺度抛得快的高质高效加工需求，研究电、光、声、等离子体等多场辅助化学机械原子级去除工艺，突破多场辅助协同调控、超低压力分区加压、测量反馈智能控制等关键技术，开发多场辅助化学机械抛光装备，实现原子级精度抛光，满足半导体衬底应用需求。

　　研究大尺寸碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料制备技术和装备，突破碳化硅、氮化镓衬底超精密高效加工核心技术。攻克超宽禁带金刚石单晶、氮化铝生长及器件技术

　　围绕第三代半导体、氢能、新型储能、细胞和基因技术、合成生物、前沿新材料等未来产业方向，加快突破高端光子芯片、器官芯片、脑机接口等前沿技术，谋划布局一批未来产业（技术）研究院，培育一批具有核心竞争力的应用场景和重点企业，

　　中国科学院微电子研究所刘新宇、汤益丹团队和中国科学院空间应用工程与技术中心刘彦民团队等开展合作，共同研制出首款国产高压抗辐射碳化硅(SiC)功率器件及其电源系统，已成功通过太空第一阶段验证并实现其在电源系统中的在轨应用。刘新宇表示，合作团队共同开展的碳化硅载荷，已于2024年11月搭乘天舟八号货运飞船飞向太空，开启了在中国空间站轨道的科学试验之旅。

　　通过一个多月的在轨加电试验，SiC载荷测试数据正常，高压400V SiC功率器件在轨试验与应用验证完成，在电源系统中静态、动态参数符合预期。本次搭载第一阶段任务完成，实现了首款国产高压400V抗辐射SiC功率器件空间环境适应性验证及其在电源系统中的在轨应用验证，

　　田永君院士团队开创了孪晶细化的新途径制备高硬度金刚石块材，与传统晶界相比，孪晶界具有更低的界面能量，为材料的超细化提供了新的可能。团队前期研究已经证实这一方法的可行性——他们成功合成了平均孪晶厚度仅5纳米的金刚石块材，其硬度达到200GPa，是天然金刚石的两倍。

　　在最新研究中，研究团队通过精确控制洋葱碳前驱体尺寸并进行高压相变，成功合成出具有突破性性能的超细纳米孪晶金刚石块材：平均晶粒尺寸18纳米，平均孪晶厚度仅2.3纳米，硬度高达276GPa。这一突破不仅刷新了硬度纪录，更为突破共价材料硬度极限开辟了新思路。通过孪晶组织的细化和类型调控，研究团队开创了提升材料性能的新途径，这对超硬材料的未来研发具有重要指导意义。

　　近日，三峡集团云南弥勒风电场柔性直流工程成功投入运行，该工程由三峡集团投资建设，联合清华大学、南网科研院、西电电力系统、许继电气、南瑞继保等共同实施，属于国家发改委“揭榜挂帅”重点科技攻关项目。该工程是世界首个采用IGCT器件的新能源柔性直流工程、世界首个采用6.5kV功率半导体器件的柔性直流工程，是继珠海直流配电、东莞中压互联、乌兰察布源网荷储等工程后IGCT柔直技术的又一重要突破，将有力推动IGCT柔直技术在沙戈荒、海上风电、城市电网等场景中规模化工程应用。

　　采用288只全国产化6.5kV/4kA（通流2kA） IGCT-Plus器件，是对IGCT器件及其换流阀技术的全面工程检验。工程调试阶段，严格对标海上风电工程进行检验，通过100余项稳态、暂态、保护功能试验项目，该工程表现出超出现有技术的可靠性，于2024年12月24日通过连续168小时试运行后转入正式运行阶段。

　　利用金刚石内部独特的量子特性，通过检测电流产生的磁场来实现非接触电流测量。由于量子的加持，可实现其他传感器所不具备的超大范围、超高精度和高稳定的电流测量。信息来源：

　　1月3日，据芯联集成官微消息，芯联集成与广汽埃安于1月2日共同签署联合实验室战略合作协议并举行揭牌仪式。

　　围绕汽车半导体开展从工艺设计、生产制造，到终端应用的研究与产品开发，共同解决车规级功率半导体的设计、制造及应用难题，强化汽车半导体的供应链建设

　　京东方华灿专注于氮化物半导体领域，其氮化物专利布局位居全球前列，具备优异的运营管理能力，一直致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务。晶通半导体在GaN技术领域深耕多年，拥有GaN HEMT、GaN SBD、Smart-GaN®、Smart-Driver® IC的设计能力，以及基于AI机器学习的动态测试技术平台。通过此次合作，双方将整合各自资源，共同打造高性能、高可靠性的GaN功率器件，以满足消费类、AI数据中心、车用、光伏及储能等新兴市场的多元化需求。

　　近日，晶驰机电开发的8英寸碳化硅（SiC）电阻式长晶炉顺利通过客户验证，设备稳定性和工艺稳定性均满足客户需求。

　　此次推出的8英寸碳化硅电阻式长晶炉，是晶驰机电针对当前市场需求精心打造的先进半导体材料制备新装备。该设备采用独特的结构设计，结合最先进的过程控制理论和自动化控制方法，实现了长晶过程中工艺参数的精准控制和设备运行的高度智能化。通过创新的热场设计，实现均匀的径向温度和宽范围精准可调的轴向温度梯度。热场稳定性高，使用寿命长，大幅提升了晶体的质量和良品率。

　　电机的铁损可以减少 18.3%。高速低扭矩区域和低速高扭矩区域之间的电流值差异很大，电机中的铁损会波动。将来，将根据此分析结果建立最佳控制方法。

　　该团队使用四个并联耐压为 650 V 的 GaN 垂直 MOSFET 制作了输出功率为 10 kW 的三相 GaN 逆变器的原型，并通过在电机台架上演示实际机器来确认其运行情况。信息来源：

　　据介绍，该200mm GaN衬底可用于生长 600V 垂直 GaN 晶体管，常闭操作，栅极电压阈值超过 2 V，导通状态下最大漏极电流为 3.3 A。此外，它还表现出超过 600 V 的击穿电压和关断状态操作期间的低漏电流。

　　1月15日苏州纳米城企业苏州镓和半导体有限公司正式开业助力园区先进半导体材料领域强链补链为园区纳米技术应用及新材料产业高质量发展提供更强支撑。

　　氧化镓材料、相关器件研发及其应用的高科技企业，研发生产单晶衬底和外延晶片、单晶及外延设备、高灵敏日盲紫外探测器件、高压高温高频率大功率电力电子器件等高质量氧化镓系列高科技产品。

　　团队由唐为华教授领衔，结合其在北京邮电大学及南京邮电大学氧化镓领域十多年的研究成果，成功开发出了完整的氧化镓晶体生长及外延生长的工艺流程，打破了日本在氧化镓材料领域的封锁及垄断。公司拥有氧化镓单晶衬底、外延、器件以及专用装备等方面的核心技术，在半导体领域具有独创性、引领性和影响力，属国内半导体产业的引领企业。

　　预计2025年一季度封顶。在接下来的半个月时间里，主厂房的其余22榀钢桁架梁将一一就位。与此同时，主厂房支持区、动力站、废水站、甲乙丙类仓库、测试楼、食堂等配套设施也将继续加速推进，预计整体项目将于今年一季度封顶，四季度初步通线年一季度进行试生产。据悉，该项目今年春节建设不停工，1000多名工人将全力保障项目建设进度。

　　据报道，2024年5月，士兰微与厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府等多方签署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目战略合作框架协议》及《投资合作协议》，宣布合资在厦门市海沧区建立一条以SiC MOSFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线。该项目分两期建设，总投资规模约120亿元，两期建设完成后，将在厦门市海沧区形成8英寸碳化硅功率器件芯片年产72万片的生产能力。

　　六方科技将投资8000万元用于此次SiC/TaC涂层材料项目的建设。原定于5D智造谷厂区和中节能园区的部分建设内容，将整体搬迁至三马厂区，并租用新亭路6号8#厂房进行扩建。项目建成后，三马厂区将具备年产3000套SiC涂层石墨托盘的生产能力，而西子厂区的年产能力将达到3900套SiC涂层石墨托盘，以及14000套TaC涂层石墨托盘。

　　力量钻石半导体高功率散热片金刚石功能材料研发制造项目与中国捷斯奥企业强强联合，瞄准行业前沿科技和国家重大需求，开展先进金刚石功能材料关键技术攻关，全面提升公司在金刚石功能材料的创新能力和科技水平。该项目建设高标准金刚石半导体研发中心，购置安装国际先进设备，用于研发制造大尺寸半导体高功率金刚石散热片。

　　据悉，三安意法半导体项目总投资约300亿元，全面整合了8吋车规级碳化硅的衬底、外延、芯片的研发制造

　　青禾晶元总部落户天津，将陆续建设键合设备二期扩产线、大产能复合衬底材料产线日，北京青禾晶元半导体科技有限责任公司官宣迁址天津滨海高新区，更名为青禾晶元半导体科技（集团）有限责任公司，作为青禾晶元全国总部和上市主体，并于近期完成最新一轮融资，融资规模超过4.5亿元。

　　青禾晶元表示，天津作为中国北方重要的经济中心和首批沿海开放城市，拥有完善的产业链和丰富创新资源。在天津市、滨海高新区以及海河基金支持下，青禾晶元将陆续建设键合设备二期扩产线、大产能复合衬底材料产线平方米，以更快速、更高效地为客户提供异质集成产品和服务，进一步提升市场竞争力。

　　，使其能应对人工智能（AI）数据中心电源AC-DC段对高能效和高功率密度的需求。在电动汽车应用中，用基于SiC JFET的固态断路器替代多个组件，有助于提高能效和安全性。在工业终端市场，SiC JFET将支持某些储能拓扑和固态断路器应用。信息来源：

　　1月17日，据外媒报道，美国商务部宣布根据《芯片和科学法案》新签署四份补助合同，其中包括向Coherent（原贰陆）提供7900万美元（约5.79亿人民币）的直接拨款资助——

　　据介绍，美国商务部拟议的资金补助将支持Coherent在宾夕法尼亚州伊斯顿的现有制造工厂的扩建，以提高6英寸和8英寸SiC衬底的产能；此外，该资金还将支持Coherent扩大该工厂的SiC外延片制造能力、生产线后端处理、电子性能和可靠性测试能力。扩建完成后，Coherent的SiC衬底产能将每年增加超过75万片，并使外延片的年产量增加一倍以上。

　　，首座建筑计划于2026年初投入运营。该项目得到了泰国投资委员会（BOI）的支持。这座高度自动化的工厂将在英飞凌多样化制造布局中发挥关键作用。

　　的能力，并计划在未来两至三年内增至每月5万片SiC晶圆。这一战略性的举措是印度“Atma Nirbhar Bharat”计划的关键部分，旨在满足全球对节能产品（包括电动汽车和可再生能源方案）日益增长的需求。

　　1月10日，杰立方半导体（香港）有限公司（以下简称“杰立方”）在大湾区（深圳）工商界高峰论坛及交流会2025上，与香港工业总会（FHKI）正式签署了合作备忘录（MOU）。作为杰平方半导体（上海）有限公司的全资子公司，杰立方自2023年10月成立以来，始终致力于成为国际一流的车规芯片厂商（“IDM”）。该公司位于香港科学园的全球研发中心已于2024年6月正式启用。杰立方晶圆厂项目预计

　　1月11日下午，南京芯干线科技有限公司与普陀区智创城西开发建设有限公司、杭州九智投资管理有限公司完成第三代化合物半导体项目签约，项目计划总投资5亿元，其中一期总投资约1亿元，一期全部投产后预计可实现年产值约5亿元。

　　的宽禁带功率器件企业，系国家高新技术企业。产品广泛应用于汽车、充电桩、光伏发电、风力发电、储能、消费电子、AI服务器等领域。信息来源：

　　12月31日，厦门产投联合两只工银AIC基金共同助力我市碳化硅外延片链主企业--瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司（简称“瀚天天成”）增资扩产，顺利完成瀚天天成本轮pre-IPO融资。得益于本轮的高效融资，瀚天天成将加快在厦投资建设8英寸碳化硅外延片生产线，把握碳化硅行业发展机遇，更好地满足国内外客户日益增长的需求。

　　1月8日，翠展微电子在官微宣布，他们已完成数亿元B+轮融资，由国科长三角资本领投，同鑫资本和银茂控股等跟投，未来将加速IGBT&SiC模块产能扩张与市场布局。本轮融资资金将主要用于新产线建设、新设备购置以及新产品研发，以全面提升翠展微在IGBT模块领域的生产能力和技术创新水平。翠展微目标在2025年具备交付超过300万套IGBT模块的能力，以持续提高在新能源汽车供应链中的影响力，并将持续开拓工控、光伏、储能等领域的市场，不断丰富产品线。

　　值得关注的是，截止到2024年12月，翠展微电子的车规级IGBT及SiC模块已经量产超过6家主机厂及10余家Tier1客户，与此同时，他们已按期迁入三期园区，具备了实现年产300万套功率器件模块的生产能力。

　　据猎云网报道，纯水一号已获得千万级 Pre-A 轮投资，由同创伟业领投。纯水一号成立于2002年，专注于提供水处理系统解决方案，可为晶圆、芯片制造、第三代半导体及其产业链产品、光伏太阳能、光电显示、电子化学品、新能源新材料等行业提供电子级超纯水及回用水系统。目前在碳化硅领域，纯水一号已经与比亚迪、粤海金、天科合达、青禾晶元、中科汇珠、基本半导体等企业达成合作。

　　一月，上海瞻芯电子科技股份有限公司完成了C轮融资首批近十亿元资金交割。自2017年成立至今，瞻芯电子已累计完成了逾二十亿元股权融资，持续获得资本市场青睐。此次C轮融资，由国开制造业转型升级基金领投，中金资本、老股东金石投资、芯鑫跟投。

　　瞻芯电子本轮首批融资款将主要用于产品和工艺研发、碳化硅(SiC)晶圆厂扩产及公司运营等开支，以持续提升产品的市场竞争力，增强晶圆厂的保供能力，满足快速增长的市场需求。

　　1月2日，南京百识电子科技有限公司（以下简称“百识电子”）官宣完成了完成B轮数亿元融资。百识电子成立于2019年8月，由多名拥有数十年第三代半导体外延经验的资深专家联合创办，核心团队具备外延工艺开发、良率保障、设备改良等全栈能力。百识电子

　　已获得海外知名客户认证，致力于打造全国最领先的车规级三代半外延片制造工厂。截至2024年12月，该公司已累积37项专利，目前百识电子已在全部产品技术指标上达到世界领先水平。

　　1月6日，据星格资本透露，广东聚芯半导体材料有限公司已完成超亿元 Pre-A 轮融资，由华金资本领投，深担创投、珩创投资、深圳高新投、虹石资本、半山创投、云创资本、国投证券、北京翰龙知行等多家知名创投基金跟投。据悉，聚芯半导体是一家

　　、生产、销售、服务为一体的新材料公司，是全球第二家、国内第一家掌握纳米二氧化铈 CMP 研磨颗粒研发与产业化关键技术的领军企业。信息来源：综合整理

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